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量子點(diǎn)(quantum dot)是零維(zero-dimensional)的納米半導(dǎo)體材料。三個(gè)維度的尺寸都不大于其對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體材料的激子玻爾半徑的兩倍,的性能一般受量子限域效應(yīng)(quantum confinement effect)、表面效應(yīng)和摻雜的影響。具有新穎的電子和光學(xué)等性能,能夠用于許多重要的領(lǐng)域,比如電子、光電子、光伏、生物醫(yī)療。
特制紅/綠/藍(lán)QLED量子點(diǎn)溶液 濃度:~20mg/ml,溶劑:正辛烷(可定制不同溶劑、濃度) 直接用于旋涂工藝
ZnSe量子點(diǎn)是一種新型環(huán)?!熬G色”半導(dǎo)體納米材料,有效克服了Cd系量子點(diǎn)毒性大的缺點(diǎn),作為寬帶隙半導(dǎo)體材料,ZnSe是制造藍(lán)綠波段半導(dǎo)體發(fā)光器件的重要材料。應(yīng)用*專有技術(shù)合成的ZnSe/ZnS量子點(diǎn)具有尺寸均勻,單分散性強(qiáng),熒光量子產(chǎn)率高,穩(wěn)定性好,生物毒性低等優(yōu)異特性;可以廣泛應(yīng)用于藍(lán)光半導(dǎo)體光電器件、太陽能電池、生物標(biāo)記等領(lǐng)域。
由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大,量子限域效應(yīng)明顯,消光系數(shù)大,發(fā)射光譜頻率覆蓋整個(gè)可見光范圍,并延伸至近紅外區(qū)域,尤其是不含有重金屬元素,InP量子點(diǎn)在平板顯示背光源、照明、生物醫(yī)學(xué)標(biāo)記、指紋識(shí)別,以及太陽能領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 應(yīng)用*專有技術(shù)合成的InP/ZnS量子點(diǎn)具有穩(wěn)定性好,熒光發(fā)射峰范圍廣,發(fā)光效率高,波長可調(diào)等諸多優(yōu)異特性。
近紅外量子點(diǎn)具有玻爾半徑大、禁帶寬度小、能量轉(zhuǎn)換率較高等特點(diǎn),在光電器件、通訊、發(fā)光二極管、太陽能電池等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。由于其發(fā)射的近紅外波長具有很強(qiáng)的組織穿透性和低背景高分辨率的生物成像性能,因此還被廣泛應(yīng)用于生物領(lǐng)域。
上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米粒子主要是由氧化物、氟化物、鹵氧化物等基質(zhì)摻雜三價(jià)稀土離子(如Er3+ , Eu3+ , Yb3+ , Tm3+ , Ho3+ 等)得到,通過多光子機(jī)制將紅外光轉(zhuǎn)換成可見光,為反Stokes發(fā)光;具有發(fā)射譜線窄,壽命長,發(fā)光穩(wěn)定性好,不易受環(huán)境影響,生物毒性低,化學(xué)穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn);廣泛應(yīng)用于生物熒光標(biāo)記和成像、激光器、太陽能電池、防偽技術(shù)等領(lǐng)域。
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