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  • n-type WS2 crystals N型二硫化鎢晶體

    14 years of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well as flux growth lead to our flawless WS2 crystals

    訪問次數(shù)：1055
    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 小尺寸二硫化鉬晶體 10x10mm

    Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor （1.2 eV） but becomes highly luminescent in the monolayer from at 1.9 eV （quasi-particle / optical band gap）.

    訪問次數(shù)：829
    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • TiS2 二硫化鈦晶體 （Titanium Disulfide）

    Our TiS2 crystals are stabilized in 1T ohase （semimetallic phase）.

    訪問次數(shù)：1115
    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • ReS2 二硫化錸晶體 （Rhenium Disulfide）

    Single crystal ReS? （Rhenium disulfide） crystals are developed at our facilities using chemical vapor transport or flux zone technique methods after 9 years of growth optimization to ensure anisotropi

    訪問次數(shù)：1314
    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • WS2 二硫化鎢晶體 （Tungsten Disulfide）

    14 years of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well as flux growth lead to our flawless WS2 crystals: Our large size （~1cm in size） vdW WS2 crystals are treated as gold standards

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    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • HfS2 二硫化鉿晶體 （Hafnium Disulfide）

    Hafnium disulfide （HfS?） is an indirect gap layered semiconductor in the bulk and becomes direct gap semiconductor in monolayer form.

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    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
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