硫化鎵晶體（百分之99.995） GaS

簡(jiǎn)要描述：硫化鎵晶體 GaS（Gallium Sulfide）
晶體尺寸：~10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2024-06-03
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硫化鎵晶體 GaS(Gallium Sulfide)
晶體尺寸：~10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a GaS single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14