硫硒化鉬晶體（百分之99.995）MoSSe

簡(jiǎn)要描述：晶體尺寸：~6毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：取決于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：＞99.995%

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2024-06-04
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詳細(xì)介紹

硫硒化鉬晶體 MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide)
晶體尺寸：~6毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：取決于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a MoSSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10