當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > > CMP 晶圓減薄拋光 > 7AF-HMG SiC研磨機(jī)
簡(jiǎn)要描述:7AF-HMG研磨機(jī)具有實(shí)時(shí)過(guò)程監(jiān)控及雙探頭監(jiān)測(cè)功能,研磨SiC會(huì)產(chǎn)生熱量,從而導(dǎo)致研磨機(jī)熱膨脹,使用單個(gè)探針,研磨的前幾塊晶圓的厚度讀數(shù)將不準(zhǔn)確,通常會(huì)導(dǎo)致研磨不足,使用雙探針可防止研磨不足,一個(gè)探針參考晶圓,另一個(gè)探針則參考工作卡盤,這消除了優(yōu)于熱膨脹引起的誤差
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7AF-HMG研磨機(jī)特點(diǎn):
雙探頭檢測(cè):
研磨SiC會(huì)產(chǎn)生熱量,從而導(dǎo)致研磨機(jī)熱膨脹,使用單個(gè)探針,研磨的前幾塊晶圓的厚度讀數(shù)將不準(zhǔn)確,通常會(huì)導(dǎo)致研磨不足,使用雙探針可防止研磨不足,一個(gè)探針參考晶圓,另一個(gè)探針則參考工作卡盤,這消除了優(yōu)于熱膨脹引起的誤差
實(shí)時(shí)過(guò)程監(jiān)控:
應(yīng)用:
基質(zhì)研磨
·在晶圓制造過(guò)程的早期發(fā)生,
·用線鋸或K-cut切割
·漿料去除通常在10微米
·后續(xù)晶圓制造操作為表面
·用6EZ拋光
背面研磨
·在晶圓的一側(cè)制造器件后發(fā)生
·起始面通常具有較低的TTV
·漿料去除通常在100微米
其他應(yīng)用程序
·線鋸基材的背面減薄和整體減薄
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