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二硒化鉭晶體 2H-TaSe2 (Tantalum Selenide) 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:Metal, Charge density waves (CDW) system at ~120K, Superconductor (Tc ~0.1K) 金屬,電荷密度波(CDW) 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.342 nm, c = 1.2
硒化鈦 1T-TiSe2(Titanium Selenide) 晶體尺寸:~8毫米 電學(xué)性能:半金屬,電荷密度波(CDW) 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.354 nm, c = 0.601 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
二硒化釩晶體 VSe2 (Vanadium Diselenide) 晶體尺寸:~8毫米 電學(xué)性能:金屬,電荷密度波(CDW) 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
二硒化鎢晶體 WSe2(Tungsten Diselenide)-P型 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體,P型 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
二硒化鋯晶體 ZrSe2 (Zirconium Selenide) 晶體尺寸:~8毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.377, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
晶體尺寸:亞毫米大小 電學(xué)特性:金屬 晶體結(jié)構(gòu):單斜晶系 晶胞參數(shù):a = 1.217nm,B = 0.3688nm,C = 0.8381nm,α=γ= 90°,β= 102.87 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX
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